dobra cena  w Internecie

Szczegóły produktów

Do domu > produkty >
Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu
>
Źródło promieniowania rentgenowskiego Microfocus 110 kV do badań nieniszczących i tomografii rentgenowskiej

Źródło promieniowania rentgenowskiego Microfocus 110 kV do badań nieniszczących i tomografii rentgenowskiej

Nazwa Marki: HAMAMATSU
Numer modelu: L9631
MOQ: 1
Warunki płatności: T/T
Szczegółowe informacje
Miejsce pochodzenia:
JAPONIA
Nazwa handlowa:
Hamamatsu
Miejsce pochodzenia:
Japonia
Szczegóły pakowania:
Karton
Materiał docelowy:
Wolfram
Metoda komunikacji:
Interfejs: RS-232C (9-pinowe złącze D-sub)
Podkreślić:

110 kV microfocus X-ray source

,

non-destructive inspection X-ray source

,

X-ray CT microfocus source

Opis produktu
110 kV mikroogniskowe źródło promieniowania rentgenowskiego do badań nieniszczących i tomografii komputerowej rentgenowskiej
110 kV MIKROOGNISKOWE ŹRÓDŁO PROMIENIOWANIA RENTGENOWSKIEGO L9631
CECHY
  • Wysoka moc wyjściowa: 800 µA (50 W) - Umożliwia ciągłą maksymalną moc wyjściową
  • Wysoka stabilność
  • Sterowanie portem szeregowym (RS-232C)
  • Jedna obudowa zawierająca zamkniętą lampę rentgenowską, zasilacz wysokiego napięcia i funkcję sterowania
  • Łatwa obsługa
  • W pełni sterowane z zewnętrznego komputera PC
ZASTOSOWANIA
  • Badania nieniszczące
  • Liniowa inspekcja rentgenowska
  • Tomografia komputerowa rentgenowska
Obiekty, do których można zastosować
  • Komponent elektroniczny
  • Płytka drukowana
  • Komponent plastikowy
  • Komponent metalowy
  • Żywność
  • Napoje
  • Leki 
  • Produkt biologiczny
OGÓLNE
Parametr Opis/Wartość Jednostka
Napięcie wejściowe (AC) 100 do 240 (automatyczny wybór 100 V/200 V), 50 Hz/60 Hz V
Pobór mocy (maks.) 240 W
Temperatura otoczenia pracy +10 do +40 °C
Temperatura przechowywania 0 do +50 °C
Wilgotność podczas pracy i przechowywania Poniżej 85 (bez kondensacji) %
Waga Ok. 10 kg
Normy zgodności CE | EMC: IEC61326-1, Grupa 1, Klasa A
Bezpieczeństwo: IEC61010-1
--
Praca Ciągła --
Zasilacz wysokiego napięcia Wbudowany --
LAMPA RENTGENOWSKA
Parametr Opis/Wartość Jednostka
Lampa rentgenowska Typ zamknięty --
Metoda chłodzenia lampy rentgenowskiej Chłodzenie konwekcyjne --
Materiał/grubość okna lampy rentgenowskiej Beryl/200 µm
Materiał celu Wolfram --
Zakres napięcia lampy 40 do 110 kV
Zakres prądu lampy 10 do 800 (maks. 50 W) µA
Maksymalna moc wyjściowa 50 W
Rozmiar ogniska rentgenowskiego 15 do 80 µm
Kąt wiązki rentgenowskiej (maks.) 62 stopnie
Odległość od ogniska do obiektu (FOD) 16,8 mm
CZĘŚĆ STEROWANIA RENTGENOWSKIEGO
Parametr Opis Jednostka
Funkcja Napięcie lampy i prąd lampy Ustawienie wstępne/Automatyczne rozgrzewanie --
Ochrona Wyłącznik bezpieczeństwa --
Sterowanie zewnętrzne RS-232C --
Obsługiwany system operacyjny Windows® 2000 Professional, XP Professional --
Warunki pracy komputera Procesor: Intel Pentium lub wyższy, Pamięć: 64 MB lub więcej --
Źródło promieniowania rentgenowskiego Microfocus 110 kV do badań nieniszczących i tomografii rentgenowskiej 0
110 kV mikroogniskowe źródło promieniowania rentgenowskiego
Źródło promieniowania rentgenowskiego Microfocus 110 kV do badań nieniszczących i tomografii rentgenowskiej 1
Schemat techniczny
Źródło promieniowania rentgenowskiego Microfocus 110 kV do badań nieniszczących i tomografii rentgenowskiej 2
Przykład zastosowania
Źródło promieniowania rentgenowskiego Microfocus 110 kV do badań nieniszczących i tomografii rentgenowskiej 3
Specyfikacje