dobra cena  w Internecie

Szczegóły produktów

Do domu > produkty >
Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu
>
Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu 130 kV Microfocus X Ray Source Idealne do tworzyw sztucznych na płytkach drukowanych

Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu 130 kV Microfocus X Ray Source Idealne do tworzyw sztucznych na płytkach drukowanych

Nazwa Marki: HAMAMATSU
Numer modelu: L9181-02
MOQ: 1
Warunki płatności: T/T
Szczegółowe informacje
Miejsce pochodzenia:
Japonia
Nazwa handlowa:
Hamamatsu
Miejsce pochodzenia:
Japonia
Szczegóły pakowania:
Karton
Materiał docelowy:
Wolfram
Metoda komunikacji:
Interfejs: RS-232C (9-pinowe złącze D-sub)
Podkreślić:

Mikogniskowe źródło rentgenowskie Hamamatsu 130 kV

,

Źródło promieniowania rentgenowskiego do płytek drukowanych

,

mikroogniskowe źródło promieniowania rentgenowskiego z gwarancją

Opis produktu
Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu 130 kV z mikogniskową wiązką rentgenowską, idealne do zastosowań w drukowanych obwodach elektronicznych i tworzywach sztucznych
Przegląd produktu

Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu 130 kV z mikogniskową wiązką rentgenowską - Model L9181-02

To wysokowydajne źródło promieniowania rentgenowskiego z mikogniskową wiązką jest specjalnie zaprojektowane do zastosowań przemysłowych, oferując precyzyjne możliwości obrazowania różnych komponentów i materiałów.

Obiekty zastosowania
  • Komponenty elektroniczne
  • Płytki drukowane
  • Elementy plastikowe
  • Elementy metalowe
Specyfikacje oprogramowania sterującego
Parametr Opis Jednostka
Kompatybilny komputer Kompatybilny z PC/AT --
Obsługiwany system operacyjny Windows® XP, 7 --
Interfejs RS-232C --
Przepisy i normy
Parametr Opis Jednostka
Dyrektywa RoHS EN 50581 Kategoria 9 --
EMC IEC/EN 61326-1
Limity emisji: CISPR 11 Grupa 1 Klasa A
Wymagania dotyczące odporności: Tabela 2
--
Parametry techniczne
Parametr Opis/Wartość Jednostka
Napięcie wejściowe (DC) +24 (+2.4,-0) V
Pobór mocy Mniej niż 120 W
Wyjście odczytu Praca ciągła --
Temperatura otoczenia pracy +10 do +40
Temperatura otoczenia przechowywania 0 do +50
Wilgotność podczas pracy i przechowywania 20 do 85 (bez kondensacji) %
Specyfikacje ogólne
Parametr Opis/Wartość Jednostka
Zakres ustawienia napięcia lampy rentgenowskiej 0 do 130 kV
Zakres ustawienia prądu lampy rentgenowskiej 0 do 300 μA
Zakres pracy napięcia lampy rentgenowskiej 40 do 130 kV
Zakres pracy prądu lampy rentgenowskiej 10 do 300 μA
Maksymalna moc wyjściowa Tryb małej ogniskowej: 8 W
Tryb średniej ogniskowej: 16 W
Tryb dużej ogniskowej: 39 W
W
Rozmiar ogniska promieniowania rentgenowskiego (wartość nominalna) Tryb małej ogniskowej: 8 (5μm przy 4 W)
Tryb średniej ogniskowej: 20
Tryb dużej ogniskowej: 40
μm
Materiał/grubość okna wyjściowego promieniowania rentgenowskiego Beryl/0.2 mm
Kąt wiązki rentgenowskiej Około 45 stopnie
Odległość od ogniska do obiektu (FOD) Około 13 mm
Materiał celu Wolfram --
Waga Około 10.5 kg
Metoda komunikacji Interfejs: RS-232C (złącze D-sub 9-pinowe) --
Ważne uwagi:

① Patrz wykres zakresu pracy napięcia/prądu lampy rentgenowskiej.

② Wartość referencyjna: Przy 50% maksymalnej emisji promieniowania rentgenowskiego.

③ Waga ta obejmuje akcesoria o masie około 0,25 kg.

④ Oprogramowanie sterujące jest dostarczane jako przykładowe oprogramowanie do celów obsługi MFX. Wydajność oprogramowania nie jest gwarantowana.

Obrazy produktu
Hamamatsu X Ray Source product overview showing complete unit
Obraz produktu źródła promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu
Close-up view of X Ray Source components and internal structure
Zbliżenie na komponenty źródła promieniowania rentgenowskiego
Technical diagram showing X Ray Source specifications and dimensions
Schemat techniczny specyfikacji źródła promieniowania rentgenowskiego