dobra cena  w Internecie

Szczegóły produktów

Do domu > produkty >
Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu
>
Źródło promieniowania X Hamamatsu 130 kV Microfocus Źródło promieniowania X dla elektronicznej tablicy drukowanej

Źródło promieniowania X Hamamatsu 130 kV Microfocus Źródło promieniowania X dla elektronicznej tablicy drukowanej

Nazwa Marki: HAMAMATSU
Numer modelu: L9181-02
MOQ: 1
Warunki płatności: T/T
Szczegółowe informacje
Miejsce pochodzenia:
Japonia
Nazwa handlowa:
Hamamatsu
Miejsce pochodzenia:
Japonia
Szczegóły pakowania:
Karton
Materiał docelowy:
Wolfram
Metoda komunikacji:
Interfejs: RS-232C (9-pinowe złącze D-sub)
Podkreślić:

Źródło promieniowania rentgenowskiego z mikrofokusu Hamamatsu 130 kV

,

Źródło promieniowania rentgenowskiego do kontroli PCB

,

analiza metalu źródła promieniowania rentgenowskiego z mikrofokusem

Opis produktu
Źródło promieniowania rentgenowskiego Hamamatsu 130 kV z mikogniskową wiązką
Wysokowydajne źródło promieniowania rentgenowskiego z mikogniskową wiązką, zaprojektowane do precyzyjnej inspekcji komponentów elektronicznych, płytek drukowanych i różnych materiałów.
Zastosowania
  • Inspekcja komponentów elektronicznych
  • Analiza płytek drukowanych
  • Badanie komponentów metalowych
  • Ocena komponentów plastikowych
Zgodność z przepisami i normami
Parametr Opis Jednostka
Dyrektywa RoHS Kategoria 9 EN 50581 --
EMC IEC/EN 61326-1
Limity emisji: CISPR 11 Grupa 1 Klasa A
Wymagania dotyczące odporności: Tabela 2
--
Specyfikacje oprogramowania sterującego
Parametr Opis Jednostka
Dotyczy PC Kompatybilny z PC/AT --
Dotyczy systemu operacyjnego Windows® XP, 7 --
Interfejs RS-232C --
Parametry elektryczne
Parametr Opis/Wartość Jednostka
Napięcie wejściowe (DC) +24 (+2.4,-0) V
Pobór mocy Mniej niż 120 W
Odczyt wyjścia Ciągłe znamionowe --
Temperatura otoczenia pracy +10 do +40
Temperatura otoczenia przechowywania 0 do +50
Wilgotność podczas pracy i przechowywania 20 do 85 (bez kondensacji) %
Specyfikacje techniczne
Parametr Opis/Wartość Jednostka
Zakres ustawień napięcia lampy rentgenowskiej 0 do 130 kV
Zakres ustawień prądu lampy rentgenowskiej 0 do 300 μA
Zakres pracy napięcia lampy rentgenowskiej 40 do 130 kV
Zakres pracy prądu lampy rentgenowskiej 10 do 300 μA
Maksymalna moc wyjściowa Tryb małej ogniskowej: 8 W
Tryb średniej ogniskowej: 16 W
Tryb dużej ogniskowej: 39 W
W
Rozmiar ogniska promieniowania rentgenowskiego (wartość nominalna) Tryb małej ogniskowej: 8 (5μm przy 4 W)
Tryb średniej ogniskowej: 20
Tryb dużej ogniskowej: 40
μm
Materiał/grubość okna wyjściowego promieniowania rentgenowskiego Beryl/0.2 mm
Kąt wiązki promieniowania rentgenowskiego Około 45 stopnie
Odległość od ogniska do obiektu (FOD) Około 13 mm
Materiał celu Wolfram --
Waga Około 10.5 kg
Metoda komunikacji Interfejs: RS-232C (złącze D-sub 9-pin) --
Ważne uwagi:
① Patrz wykres zakresu pracy napięcia/prądu lampy rentgenowskiej. ② Wartość referencyjna: Przy 50% maksymalnej emisji promieniowania rentgenowskiego. ③ Waga ta obejmuje akcesoria o masie około 0,25 kg. ④ Oprogramowanie sterujące jest dostarczane jako przykładowe oprogramowanie do celów obsługi MFX. Wydajność oprogramowania nie jest gwarantowana.
Obrazy produktu

Źródło promieniowania X Hamamatsu 130 kV Microfocus Źródło promieniowania X dla elektronicznej tablicy drukowanej 0
Źródło promieniowania X Hamamatsu 130 kV Microfocus Źródło promieniowania X dla elektronicznej tablicy drukowanej 1
Źródło promieniowania X Hamamatsu 130 kV Microfocus Źródło promieniowania X dla elektronicznej tablicy drukowanej 2